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優(yōu)質(zhì)模切設(shè)備供應(yīng)商

納米晶模切技術(shù)工藝(圖解詳細(xì)作業(yè)步驟)

2015年手機(jī)無線充電發(fā)生了里程碑式的變化,三星推出首款無線充電旗艦手機(jī)Galaxy S6,不僅兼容兩種無線充電的標(biāo)準(zhǔn),WPC和PMA,還配置了兩種支付標(biāo)準(zhǔn)NFC和MST,匹配用的軟磁屏蔽材料除了鐵氧體外,首次使用了非晶導(dǎo)磁片,使得手機(jī)不僅做的輕薄精美,還大幅提升了無線充電效率。到2016年三星又做了改進(jìn),把磁性材料全部換成了更加先進(jìn)的納米晶導(dǎo)磁片,引領(lǐng)無線充電技術(shù)的變革,始終處于領(lǐng)先地位。從這幾年的發(fā)展歷程看,在功能上從單純的無線充電加上了NFC和MST近場通訊的功能。磁性材料則從鐵氧體逐漸過渡到納米晶。


納米晶軟磁合金是非晶態(tài)帶材通過特殊的熱處理工藝實(shí)現(xiàn)的。首先把具有特定成分的非晶態(tài)帶材放進(jìn)熱處理爐里通過定向控制生成100納米以內(nèi)的晶粒,實(shí)際上形成的是非晶和納米晶的混合結(jié)構(gòu)。


納米晶和鈷基非晶、鐵氧體相比,它具有飽和磁感高,可以減小磁性器件體積。磁導(dǎo)率高,損耗小,矯頑力小,可以降低磁性器件損耗,因此,納米晶合金是高頻電力電子應(yīng)用中的最佳軟磁材料。


隨著電子產(chǎn)品正在向高頻、節(jié)能、小型、集成化方向發(fā)展,應(yīng)用頻率也在不斷提高,帶材一代代更新。從最初的傳統(tǒng)制帶工藝(國內(nèi)現(xiàn)有生產(chǎn)水平)厚度22-30μm,到現(xiàn)在帶材發(fā)展到三代、四代,用先進(jìn)制帶工藝(國際先進(jìn)生產(chǎn)水平)可做到14-22μm。而且掌握了更薄的制帶技術(shù)。納米晶帶材的發(fā)展趨勢就是超薄帶。


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材料搭配明細(xì)


材料名稱材料尺寸材料特性
0.025啞光膜1-3g、寬60mm注意清潔度
雙面膠寬55mmPET
0.05保護(hù)膜0-1g、寬50mm納米晶折易碎,需保護(hù)膜保護(hù)
納米晶寬45mm
0.1原膜PET寬15mm不帶粘性
0.075透明硅膠保護(hù)膜5-8g、寬80mm保護(hù)膜帶吸附,注意灰塵
啞黑膜寬60mm保護(hù)膜帶吸附,注意灰塵
0.05藍(lán)色硅膠保護(hù)膜1-3g、寬60mm
0.075亞克力保護(hù)膜1-3g、寬58mm
封箱膠放料粘手柄寬15mm單面帶粘性
封箱膠排產(chǎn)品啞光膜寬60mm單面帶粘性
白色離型膜1-3g、寬55mm單面離型


工藝產(chǎn)品示意圖及結(jié)構(gòu)圖


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工藝詳細(xì)步驟及機(jī)器示意圖


一、貼合步驟


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1、先將0.075透明硅膠保護(hù)膜5-8g固定好位置在貼合機(jī)上,粘性面朝上;

2、再將兩條0.1原膜PET靠兩邊貼合在0.075的透明硅膠保護(hù)粘性面上;

3、將納米晶與0 . 0 5保護(hù)膜0 - 1 g覆合好收卷,再把納米晶保護(hù)膜面覆在0.075透明硅膠保護(hù)膜上。


二、一沖沖切注意事項(xiàng)


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刀模往納米晶面沖切,只沖斷納米晶和保護(hù)膜,其它不能沖斷。


三、貼合步驟


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1、在貼合機(jī)上排除納米晶邊緣廢料;

2、居中貼合雙面膠貼在納米晶表面;

3、收卷背膠自帶離型紙【膜】。

4、同時(shí)覆0.025啞光膜1-3g在背膠之上。

5、底部收卷硅膠保護(hù)膜,同時(shí)覆啞黑膜、+0.05透明硅膠保護(hù)膜1-3g、+0.075亞克力保護(hù)膜1-3g


四、二沖沖切注意事項(xiàng)


刀模往0 . 0 2 5啞光膜1 - 3 g面沖切;手柄處只能沖斷啞黑膜;0 . 0 5藍(lán)色硅膠保護(hù)膜和0 . 0 7 5亞克力保護(hù)膜不能沖斷。


五、貼合步驟


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1、在貼合機(jī)上排除手柄廢料;

2、排除產(chǎn)品外圍邊廢料;

3、使用封箱膠排除產(chǎn)品上的啞光膜。

4、覆白色離型膜1-3,同時(shí)收卷0.075亞克力保護(hù)膜,產(chǎn)品成型收卷。


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